SK海力士斥380億美元建兩座記憶體晶圓廠

韓國半導體巨頭SK海力士2026年8月7日宣布，董事會已批准總值約380億美元（約54萬億韓元）的投資計劃，將在韓國興建兩座新的記憶體晶圓廠。消息公布後，SK海力士股價一度下跌5%。

兩座新廠分別為龍仁Y2 DRAM廠（約35.2萬億韓元）及清州M17 NAND快閃記憶體廠（約19.1萬億韓元），約三分之二資金投向DRAM，以配合人工智能（AI）帶動的記憶體需求。管理層亦將龍仁園區四座廠房的完工時間由2045年提前至2033年。

SK海力士行政總裁警告：「2027年將出現業界歷來最嚴重的記憶體短缺。」他強調，需求係結構性轉變，而非周期性反彈。公司7月10日在納斯達克上市，並錄得破紀錄的第二季營業利潤，按年大增557%。

同行表現不一：希捷（Seagate）股價下跌7%，被視為年內累升210%後的獲利回吐；美光（Micron）跌2%，因其HBM4（第四代高頻寬記憶體）主導地位被認為能抵禦資本開支憂慮；閃迪（Sandisk）跌3%，年內仍累升419%。追蹤記憶體股的DRAM ETF（交易所買賣基金）下跌2%，其持倉高度集中於三星、SK海力士及美光三家公司，合共佔約73%。

市場關注SK海力士第三季公布的股東回報計劃，以及美光定於9月28日發布的下一份業績報告。