南韓半導體巨頭SK海力士7日宣布，將投入總計54兆韓元（約3100億港元），在龍仁及清州興建新的半導體生產設施，以應對人工智能（AI）記憶體需求的持續擴大。
SK海力士當日召開董事會，決議投資35兆2000億韓元興建龍仁半導體聚落內的DRAM工廠「Y2」，並投資19兆1000億韓元興建清州的NAND快閃記憶體工廠「M17」。這是該公司今年6月公布中長期投資計劃後的首項具體項目。SK海力士相關人士在董事會後表示：「此次投資是為配合市場成長速度、不錯失機會所做的決定。將透過先發制人確保生產基礎，為全球AI半導體供應鏈穩定做出貢獻，確立AI基礎設施核心夥伴的地位。」
龍仁Y2是該聚落四座工廠中的第二座DRAM生產基地，預計明年7月動工，2029年6月啟用首座無塵室（嚴格控制灰塵與污染、可安全製造超微細電路的空間），總樓地板面積達112萬平方米（約34萬坪），將生產包括高頻寬記憶體（HBM）在內的次世代DRAM。SK海力士已將龍仁聚落原訂2045年的完工時程提前12年至2033年。清州M17總樓地板面積為66萬平方米（約20萬坪），預計明年2月動工，2028年12月啟用首座無塵室，旨在擴大供應AI數據中心用企業級固態硬碟（SSD）。
SK海力士表示，能在客戶需要的時點供應所需數量的能力即為競爭力，經審慎評估需求後做出此次投資決定。公司計劃配合記憶體需求，分階段進行無塵室擴建與生產設備投入，以提高投資效率。
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