中國一家國有半導體設備企業2026年7月27日被披露已開始小量生產自行研發的浸潤式深紫外線（DUV）光刻設備，今年的目標是出貨5台，到2027年則計劃生產20台。
Kiwoom證券研究員韓智英表示，中國產DUV出現強化了中國半導體企業追趕勢頭的預期，「中國記憶體企業擴產的可能性，加劇了對記憶體市場競爭加劇的擔憂」。
光刻設備是半導體生產的關鍵設備，根據光源分為DUV和極紫外線（EUV）。EUV由荷蘭ASML壟斷，中國自2019年起因美國出口管制無法取得EUV，便利用DUV生產先進半導體；2023年起美國更禁止浸潤式DUV出口，促使中國加速自行研發。
韓國業界認為市場擔憂超前，中國產DUV的良率與性能尚未驗證。浦項工科大學教授李炳勳指出，若中國產DUV站穩腳跟，將能增加通用記憶體產能，需為3至5年後做好準備。成均館大學教授權錫埈則認為，中國在2030年前提高通用半導體自給率是可行的。
留言