三星HBM5導入2奈米製程 速度提升逾50%

三星電子2026年7月27日宣布，計劃在次世代高頻寬記憶體HBM5中採用最先進的2奈米製程，令資料處理速度較上一代HBM4E提升50%以上。

三星電子晶圓代工事業部技術開發室長具滋欽副社長表示：「預期HBM5的運作速度需比HBM4E提升約50%以上。基底晶片將採用能大幅改善運作速度與功率效率的最先進製程。」他說明，HBM5基底晶片將導入環繞閘極結構的2奈米製程，並實現更高整合度的矽穿孔技術。

三星強調，從HBM設計、製造到封裝全部自行完成的Turnkey解決方案，可從設計階段最佳化，縮短量產時間並提升成本競爭力。該公司已於2022年全球首度量產3奈米GAA製程，去年下半年量產2奈米第一代，今年下半年計劃量產第二代2奈米行動產品。

除了行動客戶，三星也接獲包含Tesla在內的多家AI、高效能運算及雲端服務供應商訂單。具滋欽指出，4奈米製程已基於多年量產經驗確保穩定良率與效能，將以先進製程技術力持續擴大晶圓代工市場佔有率。