華為發表韜定律預告1.4納米製程 麒麟2026芯片密度增53.5%

華為發表韜定律預告1.4納米製程 麒麟2026芯片密度增53.5%

2026年5月25日,華為正式發表半導體「韜定律」(τ定律),預告將在2031年前實現等效1.4納米晶體管密度,並預告今年秋季發布的麒麟2026手機芯片晶體管密度較上代提升53.5%。消息公布後,科創50指數當日大漲逾5%,晶片半導體板塊集體拉升。

據華爾街見聞、新浪科技及36氪等多間內地科技媒體報道,華為董事、海思半導體負責人何庭波發表署名論文,詳細闡述了韜定律的技術路徑。該定律以華為創始人任正非名字中的「韜」字命名,寓意「韜光養晦、厚積薄發」的技術發展理念。

韜定律的核心內容包括:預計到2031年實現等效1.4納米晶體管密度;通過先進封裝、新型材料及架構優化等多重技術路徑實現持續密度提升;並非單純依賴傳統摩爾定律的製程微縮,而是綜合技術進步的體現。

麒麟2026芯片方面,晶體管密度較上代提升53.5%,預計今年秋季發布,華為Mate 90系列可能首發搭載。市場方面,科創50指數當日大漲逾5%,創近一個月最大單日漲幅。晶片半導體板塊集體拉升,市場對華為自主研發技術突破給予積極反應。

業界分析認為,韜定律的提出標誌著華為在被美國制裁後,逐步走出了一條獨立自主的半導體技術路線。從早年被迫中斷與台積電合作,到如今通過多重技術路徑實現晶體管密度持續提升,華為在國產芯片替代的道路上取得重要進展。

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