美商務部長促三星SK擴大美國AI記憶體產能

美國商務部長2026年7月10日向三星電子和SK海力士公開施壓，要求兩家企業在美國增建更多人工智能記憶體生產設施。這番表態反映華府對半導體供應鏈依賴亞洲的擔憂持續升溫。

商務部長表示：「三星和SK必須加快在美國的建廠步伐，滿足本土AI晶片對高頻寬記憶體的爆炸性需求。我們不能讓下一代技術的關鍵元件仍然主要依賴海外生產。」這是他數月來第二次直接向韓國記憶體巨頭喊話。

就在同一天，SK海力士宣布通過納斯達克上市籌集約265億美元（約2067億港元），為歷來外國企業在美最大規模IPO，資金將用於擴建封裝廠與先進製程產線。三星電子亦正規劃在德州泰勒市增設第二座晶圓廠，但建設進度因勞動力和補貼談判而延遲。

市場分析指出，全球AI軍備競賽令HBM（高頻寬記憶體）需求激增，三大記憶體廠（三星、SK海力士、美光）第二季平均營業利潤率高達75%至80%。然而產能仍遠不及訂單，供應緊張可能持續至明年。美國政府希望透過在地生產降低供應鏈中斷風險。

業界預期，三星與SK將在未來數月內公布更具體的擴產時間表，但須權衡美國建廠的高成本與補貼進度。若雙方無法達成美方期望，華府不排除動用《國防生產法》等工具加速晶片本土化。